ウェーハエッジエッチング装置及び方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：八田幹雄 , 奈良泰男 , 齋藤悦子 , 宇谷勝幸 , 藤井敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-155918
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005701
出願日： 2004年05月26日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】ウェーハエッジエッチング方法を提供する。【解決手段】半導体ウェーハ下に配列され、前記半導体ウェーハを支持するステージの役割を行うボトム電極を含む半導体ウェーハのエッジをエッチングするためのウェーハエッジエッチング方法である。ウェーハエッチング方法は、半導体ウェーハをチャンバ内に入れる段階、前記チャンバ内の圧力を増加させる段階、前記圧力をさらに増加させつつ前記チャンバに少なくとも一つのエッチングガスを供給する段階、前記チャンバに電力を供給し、前記半導体ウェーハのエッジビードまたは背面で前記半導体ウェーハをエッチングする段階、前記電力及び前記エッチングガスを中断させる段階、排気ガスで前記チャンバを排気させる段階及び前記チャンバから前記排気ガスをパージする段階を含む。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハ下に配列され、前記半導体ウェーハを支持するステージの役割を行うボトム電極を含むことを特徴とする半導体ウェーハのエッジエッチング装置。

IPC (1件)：

H01L21/3065

FI (1件)：

H01L21/302 101B

Fターム (9件)：

5F004BA06 , 5F004BA07 , 5F004BB28 , 5F004DA01 , 5F004DA18 , 5F004DA23 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB01

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