特許
J-GLOBAL ID:200903097484568455

ZnO-SnO2 系透明導電性膜

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田中 増顕
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-209247
公開番号(公開出願番号):特開平9-035535
出願日: 1995年07月25日
公開日(公表日): 1997年02月07日
要約:
【要約】【課題】 抵抗の低いZnO-SnO2 系透明導電性膜を提供する。【解決手段】 ZnO-SnO2 系透明導電性膜において、Sn/Znを0.6から0.75にする。また、添加物として、Al、Ga、In等の3族元素を0.1atm%以上5atm%以下含有させてもよい。
請求項(抜粋):
ZnO-SnO2 系透明導電性膜において、Sn/Znが0.6から0.75であることを特徴とするZnO-SnO2 系透明導電性膜。
IPC (4件):
H01B 5/14 ,  C01G 19/00 ,  C23C 14/08 ,  G02F 1/1343
FI (5件):
H01B 5/14 A ,  C01G 19/00 A ,  C23C 14/08 C ,  C23C 14/08 D ,  G02F 1/1343

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