特許

J-GLOBAL ID：200903097484823269

メモリ素子及びその製造方法

発明者： 安達 日出夫
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-187686
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036931
出願日： 1991年07月26日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】本発明は、高誘電率,非強誘電性,誘電率の温度特性が良いキャパシタ材料を有したメモリ素子及びその製法を提供することを主要な目的とする。【構成】メモリセル内に含まれるキャパシタ部に電荷を蓄積,消去を行うことによって、情報の書き込み、読み出しを行うメモリ素子において、キャパシタを構成する材料が下記式で表わされることを特徴とするメモリ素子及びその製法。(Sr1-x-y Cax May )(Tiz-w Mbw )O3但し、x=0〜0.2、y=0.001〜0.01Ma=La,Bi,Sb,Y,ランタン族元素の内の一種Mb=Nb,V,Ta,Mo,Wの内の一種

請求項（抜粋）：

メモリセル内に含まれるキャパシタ部に電荷を蓄積,消去を行うことによって、情報の書き込み、読み出しを行うメモリ素子において、キャパシタを構成する材料が下記式で表わされることを特徴とするメモリ素子。(Sr1-x-y Cax May )(Tiz-w Mbw )O3但し、x=0〜0.2、y=0.001〜0.01Ma=La,Bi,Sb,Y,ランタン族元素の内の一種Mb=Nb,V,Ta,Mo,Wの内の一種

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 27/10 325 K ,  H01L 27/10 325 M