特許

J-GLOBAL ID：200903097486659695

半導体光素子

発明者： 魚見 和久 ,  鈴木 誠 ,  青木 雅博 ,  高橋 誠
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-210615
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055684
出願日： 1991年08月22日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】本発明はマイナスデチューニング方式と同時に量子井戸構造の量子サイズ効果の両者を両立した半導体光素子を提供する。【構成】量子井戸構造4の量子サイズ効果を十分に引き出すためにInGaAs等の量子井戸層4aの膜厚を40〜80Åに設定し、さらに活性領域4媒質の利得ピーク波長λgを約1.57μmに設定しマイナスデチューニングを行うために量子井戸層4aに比較的小さな歪を導入する。【効果】本発明では、歪量Δa/a、あるいは化合物半導体を構成する元素の組成比を制御することにより、マイナスデチューニング方式と同時に量子井戸構造の量子サイズ効果の両者を両立した半導体光素子を提供することができる。その結果、しきい電流の低減、緩和振動周波数の増大、チャーピングの低減に対して効果がある。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板上に形成され、量子井戸層とこの量子井戸層よりも禁制帯幅の大きい障壁層とを有する活性領域と、光を閉じ込めるためのクラッド層とを有し、上記半導体基板の格子定数をas、量子井戸層の格子定数をawとし、上記量子井戸層の歪量Δa/aをΔa/a=(aw-as)/asで定義し、上記量子井戸層の膜厚をLwとしたときに0.2%≦|Δa/a|≦0.5%40Å≦Lw≦80Åの関係を満足する半導体光素子。