特許

J-GLOBAL ID：200903097488303669

ZnO系半導体薄膜の形成方法およびこれを用いた太陽電池の製造方法

発明者： 橋本 泰宏 ,  根上 卓之 ,  林 茂生 ,  佐藤 琢也
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-144691
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332280
出願日： 1999年05月25日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 ZnO系半導体薄膜を形成する際に、基板にダメージを与えないZnO系半導体薄膜の製造方法、およびこれを用いた太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】 基板10を水溶液11に接触させることによって、基板10上にZnO系半導体薄膜を形成する。水溶液11は、亜鉛を含有する化合物と、硫黄を含有する化合物と、アンモニウム塩とを溶質として含む。

請求項（抜粋）：

亜鉛を含有する化合物と、硫黄を含有する化合物と、アンモニウム塩とを溶質として含む水溶液に、基板を接触させることによって、前記基板上にZnO系半導体薄膜を形成することを特徴とするZnO系半導体薄膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

H01L 31/04 H ,  H01L 21/208 Z ,  H01L 31/04 E

Fターム (12件)：

5F051AA10 ,  5F051CB11 ,  5F051GA03 ,  5F051GA06 ,  5F053AA03 ,  5F053AA45 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053HH05 ,  5F053LL05 ,  5F053RR03 ,  5F053RR12