磁気抵抗効果素子とこれを用いた磁気ヘッドおよび磁気メモリ

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-119830
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318462
出願日： 2002年04月22日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】反強磁性層、固定磁性層、非磁性層および自由磁性層を含む磁気抵抗効果素子(MR素子)において、素子の小型化などを行った場合でも良好な軟磁気特性を保ち、かつ高温の製造プロセスに対応した耐熱性のあるMR素子を提供する。また、高感度、高出力の磁気ヘッドおよび高密度な磁気メモリ(MRAM)を提供する。【解決手段】反強磁性層、固定磁性層、非磁性層および自由磁性層を含む多層膜ユニットの少なくとも一方の面に対して、Ni-Fe-X合金層を積層することで、自由磁性層の軟磁気特性の劣化を抑えた、耐熱性のあるMR素子を提供することができる。また、上記MR素子を用いることで、高感度、高出力の磁気ヘッドおよび高密度なMRAMを提供することができる。

請求項（抜粋）：

反強磁性層と、前記反強磁性層と磁気的に結合した固定磁性層と、非磁性層と、前記固定磁性層よりも磁化方向が相対的に回転しやすい自由磁性層とを含む多層膜ユニットが基板上に形成され、前記非磁性層を介して前記固定磁性層と前記自由磁性層とが積層された構造を含む磁気抵抗効果素子であって、前記多層膜ユニットの少なくとも一方の面に、Ni-Fe-X合金層を積層した構造を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子。ただし、Xは、Cr、V、Nb、Pt、Pd、Rh、Ru、Ir、CuおよびAuから選ばれる少なくとも1種の元素である。

IPC (5件)：

H01L 43/08 , G11B 5/39 , H01F 10/14 , H01F 10/32 , H01L 27/105

FI (6件)：

H01L 43/08 Z , H01L 43/08 H , G11B 5/39 , H01F 10/14 , H01F 10/32 , H01L 27/10 447

Fターム (22件)：

5D034AA03 , 5D034BA02 , 5D034BA03 , 5D034BA04 , 5D034BA05 , 5D034CA04 , 5D034CA08 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AA09 , 5E049AC00 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049CB02 , 5E049DB12 , 5E049FC03 , 5E049GC01 , 5F083FZ10 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083NA08

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