特許
J-GLOBAL ID：200903097489515457
導電性パターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-236287
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074237
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】ITO膜に比べ、原料が安価であり、化学成膜法で安価に作製可能である酸化スズ膜を用いた導電性パターンを形成する方法を提供する。【構成】基板上の酸化スズ膜面に部分的に酸素を注入することにより、導電性の低い部分を作成する。なお、酸素の注入にはイオン源を用いると良い。
請求項（抜粋）：
基板上の酸化スズ膜面に部分的に酸素を注入することにより、導電性の低い部分を作成することを特徴とする導電性パターンの形成方法。
IPC (3件)：
H01B 13/00 503
, C01G 19/02
, H01B 5/14
