特許

J-GLOBAL ID：200903097490573061

半導体記憶装置

発明者： 小久保 信幸 ,  川村 栄喜
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-261727
公開番号（公開出願番号）：特開平6-111581
出願日： 1992年09月30日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】 同一チップで、データ出力構成の異なる半導体記憶装置を得る。【構成】 メモリセル・アレイ7を複数のブロック7A〜7Pに分割した半導体記憶装置において、メモリセル・アレイ・ブロックの選択数を変えるデコーダ手段52Aを設けることによりデータ出力構成が異なる半導体記憶装置を同一チップで製造することを可能にした。

請求項（抜粋）：

メモリセル・アレイを複数個のブロックに分割した半導体記憶装置において、データ出力構成が異なる半導体記憶装置を同一チップ上に製造する回路設計技術を用いることにより、メモリセル・アレイ・ブロックを選択するデータに基づいて前記メモリセル・アレイ・ブロックの選択数を変えるデコーダ手段を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 11/413 ,  G11C 11/401 ,  H01L 27/11 ,  H01L 21/82

FI (4件)：

G11C 11/34 302 A ,  G11C 11/34 362 H ,  H01L 27/10 381 ,  H01L 21/82 S