特許
J-GLOBAL ID:200903097490863540

サテン模様を有するシリコンウエハおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-172084
公開番号(公開出願番号):特開平11-354474
出願日: 1998年06月05日
公開日(公表日): 1999年12月24日
要約:
【要約】【課題】 砥石によるウエハの研磨によりサテン模様を有するウエハを得る。【解決手段】 回転する軸に軸承された吸着チャックの上に吸着されたシリコンウエハの表面に、粒子径が7〜40μm (砥石粒度#320〜#2000)の砥粒を樹脂バインダーで固着させた、砥石中に占める砥粒の容積率が35〜55容量%、樹脂バインダー容積率が5〜20容量%、気孔率が25〜60容量%、砥石の圧縮弾性率が1,000〜6,000MPa、引張破壊伸びが0.3〜2.0%の物性を示す砥石を押し当て、砥石および吸着チャックを回転させてウエハの研磨を行って、TTV(Total Thickness Variation )が1μm 以下、表面粗さ(Rmax)が2. 0μm 以下の、表面がサテン(梨地)模様を有するシリコンウエハを得ることを特徴とするサテン模様のウエハの製造方法。
請求項(抜粋):
粒子径が7〜40μm (JIS規格砥石粒度#320〜#2,000)の砥粒を樹脂バインダーで固着させた、砥石中に占める砥粒の容積率が35〜55容量%、樹脂バインダー容積率が5〜20容量%、気孔率が25〜60容量%、砥石の圧縮弾性率が1,000〜6,000MPa、引張破壊伸びが0.3〜2.0%の砥石を用いてシリコンウエハを研磨して得られたTTV(Total Thickness Variation )が1μm 以下、表面粗さ(Rmax)が2. 0μm 以下の表面がサテン(梨地)模様を有するシリコンウエハ。
IPC (3件):
H01L 21/304 622 ,  B24D 3/32 ,  H01L 21/02
FI (3件):
H01L 21/304 622 F ,  B24D 3/32 ,  H01L 21/02 B

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