特許
J-GLOBAL ID:200903097494079878
電気光学装置、電気光学装置用の駆動基板、及びこれらの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
船橋 國則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-338869
公開番号(公開出願番号):特開2000-164880
出願日: 1998年11月30日
公開日(公表日): 2000年06月16日
要約:
【要約】【課題】 高い電子/正孔移動度の単結晶シリコン薄膜を比較的低温でかつ均一に成膜し、高性能ドライバ内蔵のアクティブマトリクス基板と、これを用いた表示用薄膜半導体装置等の電気光学装置とを製造する方法の提供が望まれている。【解決手段】 第1の基板1の一方の面上に段差4を形成し、この段差4を含む第1の基板1上に半導体からなる半導体膜4と金属スズ(あるいは亜鉛、鉛、スズと亜鉛との合金、スズと鉛との合金)からなる低融点金属層6とを形成するか、又は半導体を含有した金属スズ(あるいは亜鉛、鉛、スズと亜鉛との合金、スズと鉛との合金)からなる低融点金属層6を形成し、加熱処理によって半導体を低融点金属層6に溶解させた後、冷却処理により段差4をシードとして単結晶半導体層7をグラフォエピタキシャル成長させ、この単結晶半導体層7に所定の処理を施して能動素子及び受動素子のうちの少なくとも能動素子を形成する。
請求項(抜粋):
画素電極が配された表示部と、この表示部の周辺に配された周辺駆動回路部とを第1の基板上に有し、この第1の基板と第2の基板との間に所定の光学材料を介在させてなる電気光学装置において、前記第1の基板の一方の面上に段差が形成され、この段差を含む前記第1の基板上に、半導体からなる半導体膜と、金属スズあるいは亜鉛あるいは鉛あるいはスズと亜鉛との合金あるいはスズと鉛との合金からなる低融点金属層とが加熱処理され、又は、半導体を含有した金属スズあるいは亜鉛あるいは鉛あるいはスズと亜鉛との合金あるいはスズと鉛との合金からなる低融点金属層が加熱処理されて前記半導体が前記低融点金属層に溶解させられ、さらに冷却処理により前記段差をシードとして該半導体がグラフォエピタキシャル成長させられ、析出されてなる単結晶半導体層が設けられ、この単結晶半導体層が能動素子及び受動素子のうちの少なくとも能動素子を構成していることを特徴とする電気光学装置。
IPC (3件):
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
, H01L 21/336
FI (5件):
H01L 29/78 612 B
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 627 A
Fターム (97件):
2H092GA55
, 2H092GA60
, 2H092JA02
, 2H092JA05
, 2H092JA24
, 2H092JA25
, 2H092JA26
, 2H092JA34
, 2H092JA37
, 2H092JA41
, 2H092JB69
, 2H092KA03
, 2H092KA04
, 2H092KA05
, 2H092KA10
, 2H092MA04
, 2H092MA05
, 2H092MA09
, 2H092MA14
, 2H092MA15
, 2H092MA27
, 2H092MA29
, 2H092NA19
, 2H092NA27
, 2H092NA28
, 2H092PA01
, 2H092PA02
, 2H092PA03
, 2H092PA06
, 2H092PA08
, 2H092PA12
, 2H092PA13
, 2H092QA07
, 2H092QA08
, 2H092QA10
, 2H092QA11
, 2H092QA13
, 2H092QA14
, 2H092QA15
, 5F110AA01
, 5F110AA06
, 5F110AA08
, 5F110AA09
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, 5F110AA30
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, 5F110CC08
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, 5F110QQ19
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