特許
J-GLOBAL ID:200903097495695858
リフロー用スパッタリング装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴木 正次 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-255485
公開番号(公開出願番号):特開2002-075895
出願日: 2000年08月25日
公開日(公表日): 2002年03月15日
要約:
【要約】【課題】 PVD技術の延長で、しかも400度程度以下の比較的低温で、アルミニウムや銅材料の平坦化を行え、なおかつ、大径の基板であっても、その表面の全域で均一なリフローを行えるリフロー用スパッタリング装置を提案する。【解決手段】 PVD装置のスパッタリング室と、基板を加熱するリフロー室とを備えたマルチチャンバー方式のスパッタ装置であって、前記リフロー室は以下の構成からなる加熱機構を備えているリフロー用スパッタリング装置によって課題を解決した。加熱用筐体の内壁断面は楕円形状であって、加熱源と基板とは、当該楕円の2つの焦点の中の一方の焦点の位置近傍に加熱源、他方の焦点の位置近傍に基板の表面が位置するように配置されている。更に、前記基板は、前記楕円の2つの焦点を結ぶ楕円の長径を中心として回転可能に又は、前記2つの焦点を結ぶ楕円の長径を中心として回転可能であって、かつ前記2つの焦点を結ぶ楕円の長径に直交する方向の中の少なくともいずれかの方向へ直線的に移動可能に配置されている。
請求項(抜粋):
PVD装置のスパッタリング室と、基板を加熱するリフロー室とを備えたマルチチャンバー方式のスパッタ装置において、前記リフロー室は以下の構成からなる加熱機構を備えていることを特徴とするリフロー用スパッタリング装置1) リフロー室に備えられている内壁断面が楕円形状の加熱用筐体の内部の空間内で、前記加熱用筐体内壁断面の楕円形状の2つの焦点の中の一方の焦点が存在する位置の近傍に加熱源が配置され、他方の焦点が存在する位置の近傍に加熱される基板の表面が、前記2つの焦点を結ぶ前記楕円形状の長径に当該表面を直交させて配置されて互いに対向し、2) 前記加熱される基板は、前記2つの焦点を結ぶ前記楕円形状の長径を中心として回転可能に又は、前記2つの焦点を結ぶ前記楕円形状の長径を中心として回転可能であってかつ前記2つの焦点を結ぶ前記楕円形状の長径に直交する方向の中の少なくともいずれかの方向へ直線的に移動可能に配置されている。
IPC (5件):
H01L 21/26
, C23C 14/34
, C23C 14/58
, H01L 21/203
, H01L 21/285
FI (5件):
C23C 14/34 N
, C23C 14/58 C
, H01L 21/203 S
, H01L 21/285 S
, H01L 21/26 J
Fターム (22件):
4K029BA21
, 4K029BA23
, 4K029BD02
, 4K029DC00
, 4K029DC04
, 4K029EA07
, 4K029GA01
, 4M104BB03
, 4M104BB04
, 4M104CC01
, 4M104DD39
, 4M104DD80
, 4M104DD81
, 4M104DD99
, 4M104HH20
, 5F103AA08
, 5F103BB18
, 5F103BB38
, 5F103BB42
, 5F103DD28
, 5F103PP03
, 5F103RR02
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