ビーム成形と、薄いシリコン導波管への外部ソースおよび光学系の嵌合に関連する損失を減らす実用的方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：岡部正夫 , 加藤伸晃 , 岡部讓 , 臼井伸一 , 越智隆夫 , 本宮照久 , 朝日伸光 , 三山勝巳
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-501265
公開番号（公開出願番号）：特表2006-522943
出願日： 2004年04月12日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：

入力自由空間光学系および出力自由空間光学系からサブミクロン厚さの高屈折率導波管への光の高効率転送を達成し、維持する実用的実現を説明する。必要な光学要素と、これらの要素の製造、位置合わせ、および組立の方法を述べる。現実的な範囲のデバイス動作パラメータにわたる高い結合効率の信頼性のある維持を、好ましい実施形態の文脈で述べる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に形成された絶縁体層の上に堆積されたシリコン光導波管層を含むSOI(silicon-on-insulator)ウェハの表面層内に形成されたシリコン光導波管へおよびこれからの信号経路を提供する光結合配置であって、光源から入ってくる光ビームを捕らえるように配置されたシリコンベース・プリズム・カプラであって、前記シリコンベース・プリズム・カプラは、前記プリズム・カプラの第1表面は前記SOIウェハの平坦な表面に実質的に平行に配置され、これに嵌合する形で前記SOIウェハに永久的に取り付けられ、前記シリコンベース・プリズム・カプラの屈折率は、前記シリコン光導波管の屈折率以上である、シリコンベース・プリズム・カプラと、前記光ビームをコリメートし、成形し、前記シリコンベース・プリズム・カプラへの入射の特定の入口点および角度にステアリングするために、前記光源と前記シリコンベース・プリズム・カプラとの間に置かれた自由空間マイクロ光入力要素と、前記シリコンベース・プリズム・カプラと前記シリコン光導波管との間に配置されたエバネッセント結合領域と、前記光ビームを成形し、コリメートし、集光し、前記光ビームを受取要素に向かってステアリングするために、前記シリコンベース・プリズム・カプラの出力表面から出る前記ビームの経路内に置かれた自由空間マイクロ光要素とを含む光結合配置。

IPC (3件)：

G02B 6/34 , G02B 6/42 , G02B 6/122

FI (3件)：

G02B6/34 , G02B6/42 , G02B6/12 C

Fターム (25件)：

2H137AA11 , 2H137AB06 , 2H137AB08 , 2H137AB16 , 2H137BA12 , 2H137BA15 , 2H137BA22 , 2H137BA33 , 2H137BB03 , 2H137BB17 , 2H137BC41 , 2H137BC51 , 2H137EA01 , 2H147AB05 , 2H147AB21 , 2H147CA04 , 2H147CA05 , 2H147CA07 , 2H147CA09 , 2H147CA13 , 2H147CA22 , 2H147CA23 , 2H147CB01 , 2H147CB04 , 2H147CD01

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国仮出願第60/461697号

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