特許

J-GLOBAL ID：200903097501211280

半導体集積回路

発明者： 古地 將樹
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-269990
公開番号（公開出願番号）：特開平5-083104
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】 プルアップ抵抗又はプルダウン抵抗をオープンドレイン端子に接続できる半導体集積回路において、ソフトウエアでプルアップ抵抗又はプルダウン抵抗の接続と非接続とを選択できるようにすることを目的とする。【構成】 半導体集積回路13の電源電圧とグランドとの間で振幅する半導体集積回路内部の制御信号を、外部電位供給端子11から入力される電圧からグランドの振幅に変換するレベルシフタを備えている。このレベルシフタは、トランジスタ1〜4、制御信号入力端子5及びインバータ6により構成されており、その出力信号はPチャンネルMOSトランジスタ10のゲートに入力される。このPチャンネルMOSトランジスタ10のNウエルは外部電位供給端子に接続され、ソースはプルアップ抵抗9に接続され、ドレインは外部出力端子12に接続されている。

請求項（抜粋）：

NチャンネルMOSトランジスタのドレインを外部出力端子とするP基盤の半導体集積回路において、プルアップ抵抗の一端に接続された外部電位供給端子と、そのNウエルが前記外部電位供給端子に接続されそのソースが前記プルアップ抵抗の他端に接続されそのドレインが前記NチャンネルMOSトランジスタのドレインに接続されたPチャンネルMOSトランジスタと、回路内部の制御信号をその電源電圧レベルから前記外部電位供給端子に入力された電圧レベルに変換してこの変換した制御信号を前記PチャンネルMOSトランジスタのゲートへ出力するレベルシフタとを有することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H03K 17/687 ,  H03K 19/0175 ,  H03K 19/0944

FI (3件)：

H03K 17/687 F ,  H03K 19/00 101 F ,  H03K 19/094 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平2-138612
  
• 特開平2-262716
  
• 特開昭61-190635
  
• 特開昭63-105522
  
• 特開平1-103020