レジストマスクの除去方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-232018
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086146
出願日： 1993年09月17日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】半導体基板等に導電型不純物を選択的にイオン注入した後に残るレジストマスクを除去する方法に関し、導電型不純物の酸化物の発生やレジスト爆発を防止するとともに、残渣が残らないようにすることが可能なレジストマスクの除去方法を提供する。【構成】基体31に選択的に導電型不純物をイオン注入した後に残るレジストマスク32の除去方法であって、少なくとも水素を含むガスを用いて基体31のプラズマ処理を行う工程と、少なくとも酸素を含むガスを用いて基体31のダウンフロー処理を行う工程と、少なくとも硝酸及び燐酸のいずれかを含む溶液に基体31を曝す工程とを有することを含み構成する。

請求項（抜粋）：

基体に導電型不純物を選択的にイオン注入した後に残るレジストマスクの除去方法であって、少なくとも水素を含むガスを用いて前記基体のプラズマ処理を行う工程と、少なくとも酸素を含むガスを用いて前記基体のダウンフロー処理を行う工程と、少なくとも硝酸及び燐酸のいずれかを含む溶液に前記基体を曝す工程とを有することを特徴とするレジストマスクの除去方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/30 572 A , H01L 21/302 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-101633
特開平4-304632
特開平1-101633

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