特許
J-GLOBAL ID：200903097501584745
固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-313730
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150262
出願日： 1997年11月14日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 CCD固体撮像素子の短波長の光に対する感度を向上する。【解決手段】 N型のシリコン基板11に形成されるP型拡散層12の表面領域に複数のチャネル分離領域13が互いに平行に配置され、各チャネル分離領域13の間にチャネル領域となるN型拡散層14が形成される。N型拡散層14を被ってゲート絶縁膜15が積層され、ゲート絶縁膜15上に多結晶シリコン層16a及び窒化シリコン層16bからなる2層構造の転送電極16が積層される。転送電極15の表面での光の反射が抑制され、チャネル領域に入射する光が多くなる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、上記半導体基板の一主面に一方向に延在して互いに平行に配置される複数のチャネル領域と、上記半導体基板の一主面上に積層されるゲート絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜上に上記複数のチャネル領域に交差する方向に延在して互いに平行に配置される複数の転送電極と、を備え、上記複数の転送電極は、上記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して積層される多結晶シリコン層及びこの多結晶シリコン層上に積層される窒化シリコン層を含むことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (4件)：
H01L 29/762
, H01L 21/339
, H01L 27/148
, H04N 5/335
H01L 29/76 301 A
, H04N 5/335 F
, H01L 27/14 B
