特許
J-GLOBAL ID：200903097503339683
波長変換素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-300325
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153933
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】 入力信号光強度を低減し、素子偏波依存性を低減した波長変換素子を提供する。【構成】 波長変換素子はn-InP基板1上に光増幅器22として活性層2、波長可変レーザ部21の光入力側SSG-DBR23、活性領域24、位相調整領域25および光出力側SSG-DRBとしてそれぞれ光導波路3、活性層4、位相調整領域5および光導波路6を光導波方向に接続し、埋め込み層8を設ける。これらの上にp-InPクラッド層9とInGaAsPキャップ層10をそれぞれ設た後、p-側電極12,14,15,16,17を光増幅器22、光入力側SSG-DBR23、活性領域24、位相調整領域25、光出力側SSG-DBRバイアス用に設ける。さらに、基板1の裏面側にn-側電極11を設け、光入出力側両端面に誘電体多層膜7を設ける。
請求項（抜粋）：
単一波長で発振する分布反射型半導体レーザにおいて、一方の素子端に半導体光増幅器を集積したことを特徴とする波長変換素子。
IPC (2件)：
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