ゲート電極構造の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-287493
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122747
出願日： 1993年10月22日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】ゲート電極18と配線層26との間の絶縁耐圧の劣化を招くことがなく、ゲートサイドウォール22Aにオーバーハング部分が形成されることがない、ゲート電極構造の形成方法を提供する。【構成】ゲート電極構造の形成方法は、(イ)半導体基板10上にゲート酸化膜12、ポリシリコン層14及びシリサイド層16を形成する工程と、(ロ)シリサイド層16及びポリシリコン層14をエッチングし、次いで、エッチングによって生成された反応生成物30によってシリサイド層16及びポリシリコン層14の側壁が被覆された状態で反応生成物30を酸化する工程から成る。

請求項（抜粋）：

(イ)半導体基板上にゲート酸化膜、ポリシリコン層及びシリサイド層を形成する工程と、(ロ)シリサイド層及びポリシリコン層をエッチングし、次いで、エッチングによって生成された反応生成物でシリサイド層及びポリシリコン層の側壁が被覆された状態で該反応生成物を酸化する工程、から成ることを特徴とするゲート電極構造の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P , H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平2-047871
特開平1-243471
特開平3-252141

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