半導体塗布膜形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-197424
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045923
出願日： 1994年07月30日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体ウェハの表面に比較的大きな凹凸がある場合であっても、半導体ウェハ表面全体に亘って、平坦な塗布膜が得られるようにした、スピンコート方式の半導体塗布膜形成方法を提供することを目的とする。【構成】回転可能に支持された半導体ウェハの表面中央部に、塗布液を吐出した後、該半導体ウェハを高速回転させることにより、遠心力によって、該塗布液を半導体ウェハの表面全体に塗布すると共に、余分な塗布液を振り切るようにした、スピンコート方式の半導体塗布膜形成方法において、半導体ウェハ10が、塗布液吐出後に数秒間だけ高速回転され、最後に数秒乃至数十秒間低速回転せしめられるように、半導体塗布膜形成方法を構成する。

請求項（抜粋）：

回転可能に支持された半導体ウェハの表面中央部に、塗布液を吐出した後、該半導体ウェハを高速回転させることにより、遠心力によって、該塗布液を半導体ウェハの表面全体に塗布すると共に、余分な塗布液を振り切るようにした、スピンコート方式の半導体塗布膜形成方法において、半導体ウェハが、塗布液吐出後に数秒間だけ高速回転され、最後に数秒乃至数十秒間低速回転せしめられることを特徴とする、半導体塗布膜形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/31 , H01L 21/027 , H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/30 564 C , H01L 21/90 Q

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