特許
J-GLOBAL ID：200903097518372539
半導体レーザー素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
樺山 亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-337404
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202339
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 この発明は、ストライプ部分を電流を狭窄しつつメサ上の接触抵抗の増加を抑制する様にできる構造とした半導体レーザー素子及びその製造方法を提供することにある。【構成】 第1導電性半導体基板100上に、第1導電型第1クラッド層101、活性層102、第1導電型と反対の導電型である第2導電型第2クラッド層103、第2導電型第3クラッド層104、第2導電型第4クラッド層105、第2導電型キャップ層106の順に積層され、第3、第4クラッド層104,105とキャップ層106がストライプ状のメサを構成し、第4クラッド層105とキャップ層106のストライプ幅に対して第4クラッド層104のストライプ幅が狭く、アンダーカットが生じている。
請求項（抜粋）：
第1導電性半導体基板上に、第1導電型第1クラッド層、活性層、第1導電型と反対の導電型である第2導電型第2クラッド層、第2導電型第3クラッド層、第2導電型第4クラッド層、第2導電型第5クラッド層、第2導電型キャップ層の順に積層され、第4、第5クラッド層とキャップ層がストライプ状のメサを構成し、第5クラッド層とキャップ層のストライプ幅に対して第4クラッド層のストライプ幅が狭く、アンダーカットが生じていることを特徴とした半導体レーザー素子。
IPC (2件)：
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