芳香族炭素源を用いて製造されたアモルフアス炭化ケイ素合金

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：蔦田璋子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-164706
公開番号（公開出願番号）：特開平5-009737
出願日： 1991年07月04日
公開日（公表日）： 1993年01月19日
要約：

【要約】【構成】芳香族炭素を含む炭素源を用いて製造されたことを特徴とするa-SiC。【効果】本発明はアモルファス炭化ケイ素合金に使用可能な炭素含量ならびに光学バンドギャップの範囲を拡大するものである。それは太陽電池、光センサ-、エレクトロルミニセンス装置をはじめとする多種の光電子装置に応用可能なものである。また、それは無機半導体としての作用と有機半導体としての作用を示し、また有機半導体と同様な方法で電子受容体による分子ド-ピングが可能だという特殊な性質をもっている。

請求項（抜粋）：