特許

J-GLOBAL ID：200903097521530510

光起電力素子

発明者： 藤岡 靖 ,  酒井 明 ,  岡部 正太郎 ,  芳里 直 ,  幸田 勇蔵 ,  西元 智紀 ,  矢島 孝博 ,  金井 正博
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-223943
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069640
出願日： 1995年08月31日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 長期使用中に半導体層において部分的な短絡が起こっても、特性の大幅な低下が発生しない光起電力素子を提供する。【解決手段】 少なくとも、層構成が、導電性基板101/第1の導電型を有する第1半導体層102/実質的に真性の第2半導体層103/前記第1の導電型とは反対の導電型を有する第3半導体層104/透明電極105であり、前記第1乃至第3半導体層は、シリコン系非単結晶半導体からなり、前記透明電極側から光入射を行う構造を有する光起電力素子において、前記第3半導体層104の導電型を決定する不純物濃度が、前記第2半導体層側に比べて、前記透明電極側で低くなる分布を有する、又は前記第3半導体層を構成する結晶の粒径が、前記第2半導体層側に比べて、前記透明電極基板側で小さくなる分布を有する。

請求項（抜粋）：

少なくとも、層構成が、導電性基板/第1の導電型を有する第1半導体層/実質的に真性の第2半導体層/前記第1の導電型とは反対の導電型を有する第3半導体層/透明電極であり、前記第1乃至第3半導体層は、シリコン系非単結晶半導体からなり、前記透明電極側から光入射を行う構造を有する光起電力素子において、前記第3半導体層の導電型を決定する不純物濃度が、前記第2半導体層側に比べて、前記透明電極側で低くなる分布を有することを特徴とする光起電力素子。

FI (2件)：

H01L 31/04 N ,  H01L 31/04 W

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-160282
  
• 特開平4-132269
  
• 特開昭63-258078