炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-077876
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274487
出願日： 1998年03月25日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】炭素含有量が少なく、かつ膜厚が薄いゲート酸化膜が形成でき、ノーマリオフ型とするのに適した炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ゲート酸化膜7を形成する前に、まず表面チャネル層5、p- 型ベース領域3a、3b及びn+ 型ソース領域4a、4bの表層部にイオン種をイオン注入し、珪素と炭素との結合を切っておく。そして、結合が切れた炭素を酸化して、表面チャネル層5、p- 型ベース領域3a、3b及びn+ 型ソース領域4a、4bから外部に放出させる。その後、熱処理を施して結合が切れた珪素を酸化してゲート酸化膜7を形成する。これにより、炭素含有量の少ないシリコンを酸化して形成した、炭素含有量の少ないゲート酸化膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板(1)の主表面上に、この半導体基板よりも高抵抗な炭化珪素よりなる第1導電型の半導体層(2)を形成する工程と、前記半導体層の表層部の所定領域に、所定深さを有する第2導電型のベース領域(3a、3b)を形成する工程と、前記ベース領域の表層部の所定領域に、該ベース領域の深さよりも浅い第1導電型のソース領域(4a、4b)を形成する工程と、前記半導体層と前記ソース領域とを繋ぐように、前記ベース領域の上部にチャネル形成領域となる表面チャネル層(5)を形成する工程と、前記表面チャネル層、前記ベース領域及び前記ソース領域の表層部にイオン種をイオン注入し、珪素と炭素との結合を切る工程と、前記結合が切れた炭素を酸化して、前記表面チャネル層、前記ベース領域及び前記ソース領域から外部に放出させる工程と、熱処理を施して前記結合が切れた珪素を酸化し、ゲート酸化膜(7)を形成する工程と、前記表面チャネル層をチャネル領域として、少なくも該表面チャネル層上に前記ゲート酸化膜を介してゲート電極(8)を形成する工程と、前記ソース領域及び前記ベース領域と接触するソース電極(10)を形成する工程と、前記半導体基板のうち前記主表面とは反対側にドレイン電極(11)を形成する工程と、を含むことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/316 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 652 K , H01L 21/316 S , H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 652 E , H01L 29/78 658 F

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