特許

J-GLOBAL ID：200903097527199840

炭化珪素単結晶および単結晶ウェハ

発明者： 澤村 充 ,  藤本 辰雄 ,  大谷 昇 ,  中林 正史
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (5件)： 八田 幹雄 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-179382
公開番号（公開出願番号）：特開2006-001784
出願日： 2004年06月17日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：

【課題】 熱処理に対しても電気伝導度の変化し難い半絶縁性炭化珪素単結晶および半絶縁性炭化珪素単結晶ウェハの提供を主たる目的とする。【解決手段】 室温で1×105Ωcm以上の電気抵抗率と、原子空孔が複数集合した空孔クラスターを有する半絶縁性炭化珪素単結晶およびこれから得られるウェハである。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

室温で1×105Ωcm以上の電気抵抗率と、原子空孔が複数集合した空孔クラスターを有することを特徴とする半絶縁性炭化珪素単結晶。

IPC (1件)：

C30B 29/36

FI (1件)：

C30B29/36 A

Fターム (8件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB06 ,  4G077BE08 ,  4G077DA18 ,  4G077EB01 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-260176   出願人：新日本製鐵株式会社
• 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びこれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-027764   出願人：新日本製鐵株式会社