特許

J-GLOBAL ID：200903097537670842

単一バイアスブロックを有する低電圧RF増幅器および混合器

発明者： カールトン ステュービング ,  リチャード ダグラス シュルツ ,  トーマス デーヴィッド ブローガン ,  サング-グーグ リー
出願人/特許権者： ハリス・コーポレーション
代理人 (1件)： 平田 忠雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-160207
公開番号（公開出願番号）：特開平7-154158
出願日： 1994年07月12日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】低電源の適用における従来技術のダイナミックレンジ上の重要な制限を除去する新規な低電圧RF増幅器を提供する。【構成】電源と、ベース、コレクタおよび交流接地エミッタを有するトランジスタと、負荷に電流が流れない時前記電源の全電圧が前記コレクタに印加されるように前記コレクタと前記電源間に効果的に接続される負荷と、前記ベースをバイアスする手段とからなるバイアスされた低電圧RF増幅器であって、前記バイアス手段が前記バイアス手段を前記トランジスタの外部装荷の効果から緩衝するための手段を含むことを特徴とする、バイアスされた低電圧RF増幅器。

請求項（抜粋）：

電源と、ベース、コレクタおよび交流接地エミッタを有するトランジスタと、負荷に電流が流れない時前記電源の全電圧が前記コレクタに印加されるように前記コレクタと前記電源間に効果的に接続される負荷と、前記ベースをバイアスする手段とからなるバイアスされた低電圧RF増幅器であって、前記バイアス手段が前記バイアス手段を前記トランジスタの外部装荷の効果から緩衝するための手段を含むことを特徴とする、バイアスされた低電圧RF増幅器。

IPC (3件)：

H03F 3/19 ,  H03D 7/14 ,  H03F 1/30