特許
J-GLOBAL ID：200903097538558817

半導体装置特性シミュレーション方法及び半導体装置特性シミュレータ

発明者：
臼井 弘樹

臼井 弘樹 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-368046
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200461
出願日： 2002年12月19日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：
【課題】トランジスタの特性の劣化及び回復を正確にシミュレーションし、半導体装置を信頼性良く設計することを可能とするシミュレータ及びその方法を提供する。【解決手段】負のゲート電圧Vgを印加すると、トランジスタの特性は劣化し、総劣化量△Pが増大する。負のゲート電圧Vgを下げると、トランジスタの特性は回復し、総劣化量△Pが減少する。劣化期間と回復期間において、ゲート電圧の印加時間tの対数log(t)の線形式を用い、劣化量△PDと回復量△PDを計算する。即ち、ΔPD(t)=CD+BD・log(t)、ΔPR(t)=CR+BR・log(t)。ここで、CD、BD、CR、BRは定数である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数のトランジスタで構成される回路の特性をシミュレーションする半導体装置特性シミュレーション方法において、 複数の使用条件に基づいて、劣化前の前記回路のシミュレーションを行なう第1のシミュレーション工程と、 前記複数の使用条件に基づいて、劣化後の前記回路のシミュレーションを行なう第2のシミュレーション工程と、 前記第1のシミュレーション工程の結果と前記第2のシミュレーション工程の結果とを比較し、劣化による前記回路の特性を評価する評価工程と を備えることを特徴とする 半導体装置特性シミュレーション方法。
IPC (7件)：
H01L21/82 ,  G06F17/50 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/00 ,  H01L29/78
FI (5件)：
H01L21/82 T ,  G06F17/50 666Y ,  H01L29/00 ,  H01L29/78 301Z ,  H01L27/08 102Z
Fターム (15件)：
5B046AA08 ,  5B046CA04 ,  5B046JA04 ,  5F048AA00 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F064CC09 ,  5F064HH09 ,  5F064HH10 ,  5F064HH12 ,  5F140AA00 ,  5F140DB04 ,  5F140DB06 ,  5F140DB10
引用特許：
審査官引用 (2件)

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