特許
J-GLOBAL ID：200903097540224152
スパッタリング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-266957
公開番号（公開出願番号）：特開平6-116721
出願日： 1992年10月06日
公開日（公表日）： 1994年04月26日
要約：
【要約】【目的】半導体素子製造に使用するスパッタリング装置において、ウェハー上に成膜された導電膜の段差被覆性の改善を図る。【構成】ウェハー1に対して偏心した位置にターゲット4を取付け、そのターゲット4を取付けるカソード2の回転軸をウェハー中心と一致させて回転させる。これにより、ターゲット4はウェハー1に対し偏心運動し、ウェハー1の端部においても成膜時の膜堆積方向の垂直成分を増加させることができるので、良好な段差被覆性を有する導電膜が得られる。
請求項（抜粋）：
半導体素子製造工程のメタライズ工程に使用するスパッタリング装置において、ウェハーと対向するカソードに取付けられたターゲットをウェハー中心に対し偏心した位置に設け、導電膜成膜中にそのターゲットがウェハー中心を軸として回転する機構を備えたことを特徴とするスパッタリング装置。
IPC (3件)：
C23C 14/34
, H01L 21/203
, H01L 21/285
