半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-317837
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151840
出願日： 1992年11月02日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】半導体基板の非常に浅い領域に不純物拡散層が形成された電界効果型トランジスタを提供する。【構成】半導体基板に不純物のイオン注入を行うことによって形成され、ソース・ドレイン領域26及びチャネル領域22が素子形成領域14内に形成されている電界効果型トランジスタは、半導体基板の厚さ方向に2つの不純物濃度ピークを有し、浅い方の不純物濃度ピークを含む領域は、ソース・ドレイン領域の拡散層26を形成し、深い方の不純物濃度ピークは、素子形成領域12外の領域に存在することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板に不純物のイオン注入を行うことによって形成されたソース・ドレイン領域、及びチャネル領域から成り、ソース・ドレイン領域及びチャネル領域が素子形成領域内に形成された電界効果型トランジスタであって、半導体基板の厚さ方向に2つの不純物濃度ピークを有し、浅い方の不純物濃度ピークを含む領域は、ソース・ドレイン領域の拡散層を形成し、深い方の不純物濃度ピークは、素子形成領域外の領域に存在することを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 29/784 , H01L 21/265 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/74 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 301 S , H01L 21/265 W , H01L 29/72 , H01L 29/78 301 P

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