特許
J-GLOBAL ID：200903097544857710
アルミニウム配線の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-163671
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022416
出願日： 1993年07月01日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】 微細なヴィア孔にAlを選択性良く埋め込むことにある。【構成】 下層Al配線4上の層間絶縁膜6に、ドライエッチングを用いてヴィア孔6aを形成する。次に、下層Al配線4の露出表面に形成されている自然酸化膜4a、層間絶縁膜6表面の変質層6b及び汚染物8を、塩素を含むガス雰囲気中でプラズマエッチングし除去する。次に、これらの表面を、不活性ガス雰囲気中、或いは1mTorr以下の真空雰囲気中で加熱する。これにより、層間絶縁膜6の表面に残留する塩素10が熱脱離して、この表面が清浄化される。したがって、この後に、Al-CDVによってヴィア孔6a内にAlを選択的に堆積させた場合にも、層間絶縁膜6の表面にAlが堆積することはなく、良好な選択性が得られる。
請求項（抜粋）：
アルミニウム配線上の層間絶縁膜にヴィア孔を形成し、このヴィア孔の底部に前記アルミニウム配線を露出させる第1工程と、前記アルミニウム配線の露出表面に形成された酸化アルミニウムと第1工程によって生じた前記層間絶縁膜表面の変質層とを、同時に或いは前後して、塩素を含むガス雰囲気中でプラズマエッチングすることにより除去する第2工程と、第2工程を経たヴィア孔底部のアルミニウム配線及び前記層間絶縁膜表面を、不活性ガス雰囲気中、或いは1mTorr以下の真空雰囲気中で加熱する第3工程と、有機金属ガスを原料として用いた化学気相成長法により前記ヴィア孔内にアルミニウムを選択的に堆積させる第4工程と、を備えるアルミニウム配線の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/205
, H01L 21/3213
, H01L 21/768
H01L 21/88 N
, H01L 21/88 D
, H01L 21/90 A
