特許

J-GLOBAL ID：200903097546383872

位相シフトマスクの作製方法

発明者： 菅原 稔
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-213318
公開番号（公開出願番号）：特開平7-049558
出願日： 1993年08月05日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：

【要約】【目的】光透過領域や位相シフト領域を所望のパターン形状に正確に形成することができる位相シフトマスクの作製方法を提供する。【構成】位相シフトマスクの作製方法は、(イ)基板表面に位相シフト材料層、遮光層、及び二酸化シリコン層を順に形成する工程と、(ロ)二酸化シリコン層を所望のパターン形状にドライエッチングする工程と、(ハ)二酸化シリコン層をエッチングマスクとして用いて、遮光層をドライエッチングする工程と、(ニ)遮光層をエッチングマスクとして用いて、位相シフト材料層をドライエッチングする工程、から成る。

請求項（抜粋）：

(イ)基板表面に位相シフト材料層、遮光層、及び二酸化シリコン層を順に形成する工程と、(ロ)該二酸化シリコン層を所望のパターン形状にドライエッチングする工程と、(ハ)該二酸化シリコン層をエッチングマスクとして用いて、遮光層をドライエッチングする工程と、(ニ)遮光層をエッチングマスクとして用いて、位相シフト材料層をドライエッチングする工程、から成ることを特徴とする位相シフトマスクの作製方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528