特許

J-GLOBAL ID：200903097549073530

半導体集積回路装置およびそれに用いる電極の製造方法

発明者： 宮本 誠司
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-047622
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263448
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】 パッケージ基板であるセラミック基板上に形成する突起状電極の位置精度を向上させる半導体集積回路装置とそれに用いる電極の製造方法を提供する。【構成】 突起状電極であるはんだバンプ電極2を介して半導体チップを実装するセラミック基板3と、前記半導体チップを気密封止するキャップとから構成されるフリップチップ方式の半導体集積回路装置であり、はんだペースト8をガラスマスク7などのマスクの孔部7aに充填し、リフローを行い、その後、ガラスマスク7を取り除くことによって、セラミック基板3のスルーホール3a上に前記はんだバンプ電極2を形成するものである。

請求項（抜粋）：

半導体素子が突起状電極を介してパッケージ基板に実装される半導体集積回路装置であって、前記突起状電極はマスクから供給されるはんだペーストによって形成されることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 21/321 ,  H01L 23/02 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 21/92 F ,  H01L 23/12 L