特許
J-GLOBAL ID：200903097554215415

反射性光学要素およびEUVリソグラフィー装置

発明者：
トレンクラー、ヨハン

トレンクラー、ヨハン について

, 
マン、ハンス-ユルゲン

マン、ハンス-ユルゲン について

, 
ノテルファー、ウド

ノテルファー、ウド について


出願人/特許権者：
カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー

カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー について


代理人 (11件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  橋本 良郎 ,  風間 鉄也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-504489
公開番号（公開出願番号）：特表2006-519386
出願日： 2004年03月01日
公開日（公表日）： 2006年08月24日
要約：
本発明は、反射性光学要素およびこの要素を含むEUVリソグラフィー装置に関し、該装置は低い汚染傾向を示すものである。本発明によると、反射性光学要素は、少なくとも1つの層からなる保護層システムを有する。保護層システムの光学的特性は、スペーサおよび吸収体の光学特性の間にあるか、スペーサの光学特性に相当する。実現可能な最小の虚部と、1にできるだけ近い実部を有する材料の選択は、2つの厚さd1とd2の間の保護層システムの厚さに依存して、プラトー形状の反射率曲線をもたらす。保護層の厚さは、d2よりも小さいように選ばれる。
請求項（抜粋）：
EUVおよび軟X線波長領域用の反射性光学要素であって、多層システムと保護層システムを備え、前記保護層システムに面する前記多層システムの側が吸収体層中に終わり、前記保護層システムは、12.5nm〜15nmの操作波長における実部が0.90〜1.03であり、かつ12.5nm〜15nmの操作波長における虚部が0〜0.025であるところの屈折率を有する材料の少なくとも1つの層を有し、前記保護層システムの厚さの関数としての反射率は、厚さd1に達するまで低下し、該反射率は、厚さd1と他の厚さd2の間で実質的に一定であり、d2>d1であり、該反射率は、厚さ>d2でさらに低下し、前記保護層システムの厚さがd2よりも小さいことを特徴とする反射性光学要素。
IPC (3件)：
G21K 1/06 ,  G21K 5/02 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G21K1/06 C ,  G21K1/06 B ,  G21K5/02 X ,  H01L21/30 531A
Fターム (2件)：
5F046GB01 ,  5F046GD10
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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