特許

J-GLOBAL ID：200903097561498260

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 野口 純司 ,  今井 俊則 ,  大橋 直史 ,  山口 日出 ,  大和田 伸郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-193741
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016067
出願日： 2000年06月28日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】 ダマシン法を用いて形成された配線構造を有する半導体集積回路装置の歩留まりを向上することのできる技術を提供する。【解決手段】 ダマシン法で形成された配線の欠陥をパターン欠陥比較検査およびSEM検査で抽出し、予め工程トレースによって判明した欠陥と同定する。この結果から問題工程にフィードバックして装置のメンテナンス、部材の交換、配線構造の最適化または配線プロセスの最適化などを行い、ダマシンプロセスの歩留まりを向上させる。

請求項（抜粋）：

基板上の絶縁膜に設けられた凹パターンの内部に金属膜を埋め込み、配線またはプラグを形成する半導体集積回路装置の製造方法であって、前記配線またはプラグの欠陥を抽出し、前記欠陥を同定して前記欠陥の発生原因となる工程へフィードバックし、前記工程において対策処理を施す一連のシステムを採用することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/66 J ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 A

Fターム (37件)：

4M106AA01 ,  4M106AA11 ,  4M106BA02 ,  4M106CA40 ,  4M106CA41 ,  4M106DB04 ,  4M106DB05 ,  4M106DB21 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ38 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP00 ,  5F033PP06 ,  5F033PP09 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033VV12 ,  5F033XX37