特許

J-GLOBAL ID：200903097581836952

プラズマ処理方法

発明者： 川崎 義直 ,  川原 博宣 ,  工藤 勝義 ,  広部 嘉道 ,  掛樋 豊
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-055407
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017807
出願日： 1987年10月14日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】微細パターンでかつアスペクト比の大きいエッチングを行う。【構成】被エッチング材と反応する成分および堆積膜を形成する成分を有するとともに臨界電位を有する混合ガスをエッチング処理ガスとして用い、エッチング処理ガスをマイクロ波のECRを用いて0.01Torr台の減圧下でプラズマ化し、被エッチング材に向けてプラズマ中のイオンを加速させる加速電圧を臨界電位をはさんで変化させ、被エッチング材に対しエッチングと膜形成とを交互に繰り返す。

請求項（抜粋）：

被エッチング材と反応する成分および堆積膜を形成する成分を有するとともに臨界電位を有する混合ガスをエッチング処理ガスとして用い、前記エッチング処理ガスをマイクロ波のECRを用いて0.01Torr台の減圧下でプラズマ化する工程と、前記被エッチング材に向けて前記プラズマ中のイオンを加速させる加速電圧を前記臨界電位をはさんで変化させ、前記被エッチング材に対しエッチングと膜形成とを交互に繰り返す工程とを有し、微細パターンでかつアスペクト比の大きいエッチングを行うことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭57-164986
  
• 特開昭62-154734