特許

J-GLOBAL ID：200903097588598542

アモルファス・シリコン層センサ及びセンサの形成方法

発明者： ピン メイ ,  イェン ピン ルー ,  フランチェスコ レミー ,  ロバート エイ ストリート ,  ジェームズ ビー ボイス
出願人/特許権者： ゼロックス コーポレーション
代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-400871
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250935
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 接点注入電流を減らすことによって垂直方向漏洩電流を減らす高フィルファクタ画像アレイを提供することである。【解決手段】 センサが、真性アモルファス・シリコン層50と、この真性アモルファス・シリコン層50の第1面に結合たpドープ・シリコン層52と、このpドープ・シリコン層に結合した透明な第1電極54と、真性アモルファス層50の第2面に結合した少なくとも1つの非金属のバック接点48とを包含し、このバック接点48が、真性アモルファス・シリコン層50の1つの領域から電荷を集め、集めた電荷を検出電子装置108に与えるようになっている。

請求項（抜粋）：

センサにおいて、真性アモルファス・シリコン層と、前記真性アモルファス・シリコン層の第1面に結合した、pドープ・シリコン層と、前記pドープ・シリコン層に結合した透明な第1電極と、真性アモルファス層の第2面に結合した、少なくとも1つの非金属のバック接点とを包含し、前記バック接点が、真性アモルファス・シリコン層の1つの領域から電荷を集め、集めた電荷を検出電子装置に与えるようになっていることを特徴とするセンサ。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-189379
  
• 特開平4-261070
  
• 特開昭60-189379
  
• 特開平4-261070