特許

J-GLOBAL ID：200903097589930753

配線構造及びその製造方法

発明者： 伊藤 由規 ,  阿部 一英
出願人/特許権者： 宮城沖電気株式会社 ,  沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-022650
公開番号（公開出願番号）：特開平6-236931
出願日： 1993年02月10日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：

【要約】【目的】 半導体素子における素子間ショートやリーク電流のない配線構造及びその製造方法を提供するものである。【構成】 表面に導電体33,37を有する基体31〜37上に金属酸化膜38を形成し、この上に絶縁膜39を形成し、エッチングし露出した金属酸化膜38を還元することにより所定パターンの金属体41を形成する。

請求項（抜粋）：

表面に導電体を有する基体を準備する工程と、前記基体上に金属酸化膜を形成する工程と、前記金属酸化膜上にこの金属酸化膜とは異なる絶縁膜を形成する工程と、前記導電体上の前記絶縁膜を選択的にエッチングすることにより前記金属酸化膜を露出する工程と、前記金属酸化膜の露出部分を還元することにより所定パターンを有し且つ前記導電体に接続された金属体を形成する工程とを施すことを特徴とする配線構造の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205