特許
J-GLOBAL ID:200903097592852631
ヒドリド金属錯体および低原子価金属錯体、並びにそれらを用いて、水素分子から電子を取り出す方法、基質を水素化する方法、および重水素から水素を製造する方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (4件):
小林 浩
, 片山 英二
, 杉山 共永
, 鈴木 康仁
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-172414
公開番号(公開出願番号):特開2009-235054
出願日: 2008年07月01日
公開日(公表日): 2009年10月15日
要約:
【課題】基質を水素化する触媒機能を有する新規なヒドリド金属錯体の提供。【解決手段】下記構造式(4)又は(6)で表されるヒドリド金属錯体。該金属錯体は反応中、脱水素化した低原子価金属錯体へと可逆的に変化し、その際ベンズアルデヒド誘導体のような基質を水素化してベンジルアルコール誘導体とすることができる。更に、例えば(4)の金属錯体とプロトンから水素を発生させると共に、前記脱水素化された低原子価金属錯体に電子を保持させ水素分子から電子を取り出すができる。【選択図】なし
請求項(抜粋):
下記構造式(4)または(6)で表されるヒドリド金属錯体。
IPC (9件):
C07F 15/00
, C01B 4/00
, C01B 3/02
, C01G 55/00
, C07C 59/06
, C07C 51/367
, C07C 33/22
, C07C 29/141
, C07F 15/04
FI (10件):
C07F15/00 A
, C01B4/00 C
, C01B3/02 Z
, C01G55/00
, C07C59/06
, C07C51/367
, C07C33/22
, C07C29/141
, C07F15/04
, C07F15/00 E
Fターム (46件):
4G048AA01
, 4G048AA03
, 4G048AA07
, 4G048AA10
, 4G048AB02
, 4G048AB03
, 4G048AC08
, 4G140BA03
, 4G140BB03
, 4H006AA02
, 4H006AC41
, 4H006BA21
, 4H006BA22
, 4H006BA23
, 4H006BA28
, 4H006BA29
, 4H006BA32
, 4H006BA34
, 4H006BA36
, 4H006BC10
, 4H006BC11
, 4H006BE20
, 4H006BN10
, 4H006BS10
, 4H006FC52
, 4H006FE11
, 4H006FE73
, 4H006FE74
, 4H039CA60
, 4H039CB20
, 4H050AA01
, 4H050AA02
, 4H050AA03
, 4H050AB40
, 4H050BC10
, 4H050BC11
, 4H050BC16
, 4H050BD70
, 4H050BE20
, 4H050WB11
, 4H050WB12
, 4H050WB13
, 4H050WB14
, 4H050WB15
, 4H050WB21
, 4H050WB22
引用文献:
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