特許
J-GLOBAL ID:200903097593211982

3-メチル-2,4-ノナンジオンの製造法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井上 昭 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-352517
公開番号(公開出願番号):特開2001-163818
出願日: 1999年12月13日
公開日(公表日): 2001年06月19日
要約:
【要約】【課題】 純度の高い3-メチル-2,4-ノナンジオンを、温和な条件下で、収率よく製造できる方法を提供する。【解決手段】 n-ヘキシルアルデヒドとメチルエチルケトンとを水溶液中で塩基触媒の存在下、炭素-炭素結合反応をさせて3-メチル-4-ヒドロキシ-2-ノナノンとなし、ついでニトロキシルラジカル誘導体と金属ハロゲン化物との存在下、次亜ハロゲン酸塩と反応させることを特徴とする3-メチル-2,4-ノナンジオンの製造方法。
請求項(抜粋):
n-ヘキシルアルデヒドとメチルエチルケトンとを水溶液中で塩基触媒の存在下、炭素-炭素結合反応をさせて、式(2)【化1】で表わされる3-メチル-4-ヒドロキシ-2-ノナノンとなし、ついで一般式(3)【化2】(式中、R1は、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、炭素数1〜4の低級アルキル基、炭素数1〜4の低級アルコキシ基、炭素数2〜5の低級アシロキシ基又はベンゾイルオキシ基を示し、R2は、水素原子又は炭素数1〜4の低級アルキル基を示し、R1とR2は一緒になってオキソ基を形成していてもよい。)で表わされるニトロキシルラジカル誘導体と金属ハロゲン化物との存在下、次亜ハロゲン酸塩と反応させることを特徴とする、式(1)【化3】で表わされる3-メチル-2,4-ノナンジオンの製造方法。
IPC (8件):
C07C 45/29 ,  B01J 23/02 ,  B01J 23/04 ,  B01J 31/02 102 ,  C07C 45/30 ,  C07C 45/72 ,  C07C 49/12 ,  C07B 61/00 300
FI (8件):
C07C 45/29 ,  B01J 23/02 X ,  B01J 23/04 X ,  B01J 31/02 102 X ,  C07C 45/30 ,  C07C 45/72 ,  C07C 49/12 ,  C07B 61/00 300
Fターム (15件):
4H006AA02 ,  4H006AC12 ,  4H006AC22 ,  4H006AC41 ,  4H006AC44 ,  4H006BA02 ,  4H006BA37 ,  4H006BA51 ,  4H006BB14 ,  4H006BC10 ,  4H006BC31 ,  4H006BE05 ,  4H039CA60 ,  4H039CA62 ,  4H039CC20
引用特許:
出願人引用 (7件)
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引用文献:
出願人引用 (2件)

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