特許
J-GLOBAL ID：200903097594689991
半導体製造装置およびそのクリーニング方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-186148
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029274
出願日： 1991年07月25日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 チャンバ内のスパッタエッチングによる付着物をチャンバを開放することなく除去する。【構成】 スパッタエッチングチャンバ1内を加熱機構23により加熱しつつクリーニングガス導入口25からスパッタエッチングチャンバ1内にクリーニングガスを導入し、ウエハホルダ9にRF電源12からRFバイアスを与える。この電圧により対向電極10とウエハホルダ9との間にプラズマが生じ、クリーニングガスのプラズマが発生する。このプラズマにより防着板14bに付着している堆積物18が気化される。ターボ分子ポンプ20によりスパッタエッチングチャンバ1内の気体を外部に排出する。【効果】 そのため、スパッタエッチングチャンバ1を開放することなく堆積物18を除去することができる。
請求項（抜粋）：
チャンバ内に収納された半導体基板の表面にスパッタエッチングを施すスパッタエッチング機構を有する半導体製造装置において、前記チャンバ内に活性ガスであるクリーニングガスを導入するクリーニングガス導入口と、前記クリーニングガスをプラズマ化するプラズマ化手段と、前記チャンバ内を排気するターボ分子ポンプと、前記チャンバ内を加熱する加熱手段とを備えた半導体製造装置。
IPC (2件)：
前のページに戻る
