特許

J-GLOBAL ID：200903097595402599

アッシング装置及びその処理方法

発明者： 西川 清子
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-154960
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347282
出願日： 1992年06月15日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、アッシング装置及びその処理方法に係わり、アッシング処理に寄与する酸素原子ラジカルを減少させることなく、高速で且つ一定のアッシングレートを得ることを目的とする。【構成】 プラズマ中の中性ラジカルを用いて、被処理基板2表面のレジストを除去するアッシング装置において、少なくとも酸素ガスを供給するガス供給口4と、ガス排出口5とを備えた処理室1と、所定圧力に減圧された処理室1内で該酸素ガスをプラズマ化し、酸素原子ラジカルを発生させる手段と、その酸素原子ラジカルを冷却する冷却手段9,10とを有するように構成する。

請求項（抜粋）：

プラズマ中の中性ラジカルを用いて、被処理基板(2)表面のレジストを除去するアッシング装置において、少なくとも酸素ガスを供給するガス供給口(4)と、ガス排出口(5)とを備えた処理室(1)と、所定圧力に減圧された該処理室(1)内で該酸素ガスをプラズマ化し、酸素原子ラジカルを発生させる手段と、該酸素原子ラジカルを冷却する冷却手段(9,10)とを具備することを特徴とするアッシング装置。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-260631
  
• 特開昭63-127537
  
• 特開平1-302821