特許

J-GLOBAL ID：200903097597331044

シリコン単結晶の製造方法

発明者： 宝来 正隆 ,  小池 隆
出願人/特許権者： 九州電子金属株式会社 ,  住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 森 正澄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-172237
公開番号（公開出願番号）：特開平6-056588
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年03月01日
要約：

【要約】【目的】 OSF、転位クラスタの発生をなくし、酸化膜耐圧特性の高く良質な半導体ウエーハを得る。【構成】 チョクラルスキ法により直径100mm以上のシリコン単結晶を製造する際に、最大引上げ速度を0.8mm/min以下とし、平均引上げ速度を上記最大引上げ速度の70%以上の範囲としたシリコン単結晶の製造方法。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキ法により直径100mm以上のシリコン単結晶を製造する際に、最大引上げ速度を0.8mm/min以下とし、平均引上げ速度を前記最大引上げ速度の70%以上の範囲としたことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/20 ,  H01L 21/208

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平2-267195