特許

J-GLOBAL ID：200903097597917960

n型SiC用オーミック電極とその製造方法

発明者： 星野 泰三 ,  西川 猛 ,  寺田 敏行 ,  坂本 光
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-088069
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283738
出願日： 1996年04月10日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 n型SiCのオーミック電極における接触抵抗の低減、耐熱安定性の向上を図る。【解決手段】 n型SiC1上にHf、Ta、TiもしくはZrの窒化物の単体または混合物2を配し、その上に窒素が暫時変化する遷移層3を配し、その上にHf、Ta、Ti、Zr、VもしくはWの単体または混合物4を配してなるオーミック電極。

請求項（抜粋）：

n型SiC半導体装置のオーミック電極において、SiC上にHf、Ta、Ti若しくはZrの窒化物の単体または混合物からなる膜を配し、該膜上にHf、Ta、Zr、Ti、V若しくはWの単体または混合物からなる金属を配したことを特徴とするオーミック電極。

IPC (3件)：

H01L 29/43 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301

FI (5件)：

H01L 29/46 R ,  H01L 21/28 B ,  H01L 21/28 301 F ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 29/46 F