特許
J-GLOBAL ID：200903097604707810
電力用半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-217762
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083864
出願日： 1994年09月13日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】 半導体モジュールの熱歪み・応力を低減する。【構成】 セラミック板2の上面に配線用銅箔板3が貼着され、下面に放熱用銅箔板4が貼着されたサンドイッチ構造のDBC基板1を用い、この基板1の上面に半導体チップ6を設け、下面に放熱用銅板5を接合した半導体モジュールにおいて、基板の配線用銅箔板3の厚みを放熱用銅箔板4の厚みより大きくする。これにより放熱用銅板5との力学的な不均衡を是正され、半導体モジュールの熱歪み・応力が低減する。そのため長寿命の電力用半導体装置が得られる。
請求項（抜粋）：
セラミック板の上面に配線用銅箔板が貼着され、下面に放熱用銅箔板が貼着されたサンドイッチ構造のDBC基板を用い、この基板の上面に半導体チップを設け、下面に放熱用銅板を接合した半導体モジュールにおいて、前記基板の配線用銅箔板の厚みを放熱用銅箔板の厚みより大きくし、半導体モジュールの熱歪み・応力を低減することを特徴とした電力用半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 J
, H01L 23/36 M
