特許

J-GLOBAL ID：200903097610655008

半導体電極構造体

発明者： 藤川 久喜 ,  野田 浩司 ,  大脇 健史 ,  多賀 康訓
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-345598
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175252
出願日： 1991年12月26日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 比抵抗の高い半導体基板に対し接触抵抗が低く、かつ半田中の錫の拡散を防止しつつ配設台を半田づけする。【構成】 半導体基板10上に、イットリウムからなるコンタクト層12と、鉄含有金属からなる拡散防止層14を形成し、これを鉛錫系半田16を介し、配設台18に接合する。コンタクト層12と半導体基板10との接触抵抗が小さく、鉄からなる拡散防止層14が錫の拡散を防止し、かつこの拡散防止層は半田ぬれ性能がよい。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該基板上に形成した希土類金属膜または希土類金属シリサイド膜またはそれらの複合膜からなるコンタクト層と、該コンタクト層上に形成した鉄含有金属薄膜からなる拡散防止層と、該拡散防止層上に形成した鉛及び錫を主成分とする半田層と、を有することを特徴とする半導体電極構造体。