特許

J-GLOBAL ID：200903097613294707

不揮発性ランダムアクセスメモリ装置及び不揮発性ランダムアクセスメモリ装置における浮遊ゲート電圧レベルの検出方法

発明者： 小川 和樹
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴイエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 石川 泰男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-240033
公開番号（公開出願番号）：特開平5-080115
出願日： 1991年09月19日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】 浮遊ゲートの電圧レベルが容易に検出可能な不揮発性ランダムアクセスメモリ装置、及びその検出方法を提供する。【構成】 ランダムアクセスメモリセル2と、電気的に書き換え可能な不揮発性メモリセル3とを有するメモリセルを複数備えた不揮発性ランダムアクセスメモリ装置において、不揮発性メモリセル3内の浮遊ゲートGF の電圧レベルの値により導通状態又は非導通状態となるメモリトランジスタT1 のソース電極Sを電圧印加可能に構成し、ソース電極Sに印加されたソース電圧のうちメモリトランジスタT1 の導通状態と非導通状態との境界をなすソース電圧のレベルに基づいて、浮遊ゲートGF の電圧レベルを検出するように構成される。

請求項（抜粋）：

ランダムアクセスメモリセル(2)と、電気的に書き換え可能な不揮発性メモリセル(3)とを有するメモリセルを複数備えた不揮発性ランダムアクセスメモリ装置において、当該不揮発性メモリセル(3)内の浮遊ゲート(GF )の電圧レベルの値により導通状態又は非導通状態となるメモリトランジスタ(T1 )のソース電極(S)を電圧印加可能に構成したことを特徴とする不揮発性ランダムアクセスメモリ装置。

IPC (5件)：

G01R 31/26 ,  H01L 21/66 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/10 301 ,  H01L 27/115