特許
J-GLOBAL ID：200903097613599842
化学的に接近可能な表面を有するケイ素ナノクリスタルを調製するための高収率方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山本 秀策
, 安村 高明
, 森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-530027
公開番号（公開出願番号）：特表2005-503984
出願日： 2002年09月19日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：
化学的に接近可能な表面を有するケイ素ナノクリスタルが、溶液中で高収率で生成される。四塩化ケイ素(SiCl4)のようなテトラハロゲン化ケイ素が、1,2-ジメトキシエタン(グライム)のような有機溶媒中で、ナトリウムナフタレニドのような可溶性の還元剤を用いて還元されて、ハロゲン化末端(例えば、塩化物末端)を有するケイ素ナノクリスタルが得られ得、これは次いで、アルキルリチウム、グリニャール試薬または他の試薬で容易に官能基化されて、空気および水分に安定な表面を有する、容易に処理されるケイ素ナノクリスタルが得られ得る。この合成は、アルキル末端を有するナノクリスタルを、周囲の温度および圧力で、高収率で調製するために使用され得る。2工程プロセスは、広範な表面官能基を可能にする。
請求項（抜粋）：
ケイ素ナノクリスタルを生成するための方法であって、以下の工程:
ハロゲン化ケイ素および第1の還元剤を、第1の有機溶媒中で接触させて、ハロゲン化末端を有するケイ素ナノクリスタルを生成する工程;ならびに
該ハロゲン化末端を有するケイ素ナノクリスタルおよび第2の還元剤を、予め選択された末端基と共に、第2の有機溶媒中で接触させて、該予め選択された末端基で終結するケイ素ナノクリスタルを生成する工程、
を包含する、方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
4G072AA01
, 4G072BB20
, 4G072HH07
, 4G072HH08
, 4G072JJ08
, 4G072JJ09
, 4G072JJ44
, 4G072JJ46
, 4G072LL13
, 4G072LL15
, 4G072RR04
, 4G072TT01
, 4G072TT02
