特許
J-GLOBAL ID：200903097617742887
勾配コイルの製造方法、勾配コイル単位、勾配コイルおよびMRI装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
有近 紳志郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-173553
公開番号（公開出願番号）：特開2001-000413
出願日： 1999年06月21日
公開日（公表日）： 2001年01月09日
要約：
【要約】【課題】 磁場発生効率を低下させないで、良好なリニアリティを得る。【解決手段】 1個の半円形渦巻からなる巻線パターンを仮定し、x軸上の電流分布曲線が正負両極に跨らないような連続関数Jx(x)により電流分布を表し、所望のリニアリティが得られるように連続関数Jx(x)のパラメータを最適化し、その最適化した連続関数Jx(x)により与えられる電流分布曲線を実現するように半円形渦巻の直線部1Xt1Lの位置を決める。それを対称に複写して勾配コイル単位1Xtとし、その勾配コイル単位1Xtを複数組み合わせて勾配コイルとする。【効果】 良好なリニアリティが得られる。磁場発生効率の低下を回避できる。
請求項（抜粋）：
次の(1)〜(7)の段階を有することを特徴とする勾配コイルの製造方法。(1)1個の半円形渦巻からなる巻線パターンを仮定し、そのx軸上電流分布を次の電流分布式で表す。なお、x軸は前記半円形渦巻を2等分する軸であり、Roは最大半径であり、An,n,Bm及びmは最適化のために操作するパラメータである。(2)An,n,Bm及びmを入れた前記電流分布式で表されるx軸上の電流分布曲線が正負両極にまたがらないようにAn,n,Bm及びmを適当に仮定し、複数の磁界測定点での磁場のリニアリティエラーを計算し、そのリニアリティエラーが許容値に収まるようにAn,n,Bm及びmを操作して、An,n,Bm及びmの最適値を求める。(3)電流分布曲線とJx=0の線で囲まれる領域の面積Apを、半円形渦巻の直線部がx軸を切る位置の数Nで割った値をΔApとする。(4)電流分布曲線とJφ=0の線とで囲まれる領域をΔApごとに分割する。各分割領域の中央のx位置を、半円形渦巻の直線部がx軸を切る位置とする。(5)半円形渦巻の円弧部は半径Roの半円とし、片側の半円形渦巻の巻線パターンとする。(6)前記片側の半円形渦巻を、直線部を隣接させて、対称に複写し、勾配コイル単位の巻線パターンとする。(7)前記勾配コイル単位を複数個組み合わせる。
IPC (2件)：
FI (2件)：
A61B 5/05 340
, G01N 24/06 510 Y
4C096AB33
, 4C096AB50
, 4C096AD09
, 4C096CB04
, 4C096CB20
