特許
J-GLOBAL ID：200903097617923512
プロセスウィンドウを改良するための突出部向上マスク
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-069197
公開番号（公開出願番号）：特開2000-284466
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：
【要約】【課題】 イメージしたい特徴のための解像度を維持又は改良しながら焦点深度及び露出寛容度を増大させることができるマスクパターンを提供する。【解決手段】 基板18上に互いにほぼ平行に配置された複数の細長い構造13と、これらの細長い構造からこれらの細長い構造の間の空間内へ横方向に延びた複数の解像度以下の突出部14とが設けられており、これら複数の突出部が、細長い構造に対して平行な方向でほぼ同じサイズを有しており、複数の突出部が、細長い構造に対して平行な方向で周期的に間隔を置いて配置されており、細長い構造と突出部とが、エネルギ吸収材料から形成されている。
請求項（抜粋）：
リソグラフィプロセスにおいて使用されるマスクのためのパターンにおいて、基板上に互いにほぼ平行に配置された複数の細長い構造と、該細長い構造から該細長い構造の間の空間内へ横方向に延びた複数の解像度以下の突出部とが設けられており、該複数の突出部が、細長い構造に対して平行な方向でほぼ同じサイズを有しており、複数の突出部が、細長い構造に対して平行な方向で周期的に間隔を置いて配置されており、細長い構造と突出部とが、エネルギ吸収材料から形成されていることを特徴とする、リソグラフィプロセスにおいて使用されるマスクのためのパターン。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 D
, H01L 21/30 502 P
