特許

J-GLOBAL ID：200903097619687530

透明電極の形成方法

発明者： 原田 浩信 ,  原納 猛
出願人/特許権者： エイ・ジー・テクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-337583
公開番号（公開出願番号）：特開平5-151840
出願日： 1991年11月27日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【構成】透明な絶縁基板4上に透明導電膜を形成し、さらに、所定形状の絶縁性マスク6を用いて所定形状の透明電極5を形成し、透明電極4の上面を絶縁性マスク6で被覆したままの状態で無電解メッキ浴に浸漬して透明電極5が露出している部分に金属メッキを施し、しかる後、絶縁性マスク6を剥離、除去することにより、透明電極部に金属補助電極7の付設された、低抵抗の透明電極を形成する。【効果】透明電極の側面に簡素化された工程によって金属補助電極が付設でき、透明度の高い低抵抗の透明電極を得ることができる。

請求項（抜粋）：

透明な絶縁基板上に透明導電膜を形成し、さらに、所定形状の絶縁性マスクを用いて所定形状の透明電極を形成し、前記透明電極の上面を前記絶縁性マスクで被覆したままの状態で無電解メッキ浴に浸漬して透明電極が露出している部分に金属メッキを施し、しかる後、絶縁性マスクを剥離、除去することにより、透明電極部に金属補助電極を形成することを特徴とする透明電極の形成方法。

IPC (5件)：

H01B 13/00 503 ,  G02F 1/1343 ,  H01C 17/18 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/24