特許

J-GLOBAL ID：200903097623119318

無電解めっき方法、無電解めっき装置、配線基板の製造方法及び配線基板の製造装置

発明者： 山口 欣秀 ,  本郷 幹雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-326345
公開番号（公開出願番号）：特開2000-144437
出願日： 1998年11月17日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：

【要約】【課題】レーザ照射出力の微妙な調整を要することなく、狭い領域に位置精度よく、容易かつ低コストで厚いめっき皮膜を形成する。【解決手段】 無電解めっき液に浸漬した被めっき物表面に光(レーザ)を照射することにより、無電解めっき液にフラッシュフォトリシスを起こさせ、これにより、光を照射した領域のみ金属酸化物を沈着させて、これを触媒としためっき反応を進行させる。

請求項（抜粋）：

金属イオンと、該金属イオンの錯化剤と、還元剤と、pH調整剤とを含む無電解めっき液に被めっき物を浸漬することにより、該被めっき物表面にめっき皮膜を形成する無電解めっき方法において、第1の無電解めっき液に浸漬した状態で、上記被めっき物表面に光を照射する光照射工程と、上記被めっき物を第1の無電解めっき液中で所定時間放置することにより、上記照射箇所にめっき皮膜を形成するめっき皮膜形成工程とを、この順で有することを特徴とする無電解めっき方法。

IPC (3件)：

C23C 18/18 ,  C23C 18/31 ,  H05K 3/18

FI (3件)：

C23C 18/18 ,  C23C 18/31 E ,  H05K 3/18 E

Fターム (20件)：

4K022AA03 ,  4K022AA18 ,  4K022AA42 ,  4K022BA03 ,  4K022BA08 ,  4K022BA14 ,  4K022BA18 ,  4K022CA03 ,  4K022CA08 ,  4K022DA01 ,  4K022DB30 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB44 ,  5E343BB48 ,  5E343DD34 ,  5E343EE02 ,  5E343ER51 ,  5E343GG11 ,  5E343GG20