特許

J-GLOBAL ID：200903097629897290

半導体ウエハの研磨方法および研磨装置

発明者： 大塚 巨
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-005887
公開番号（公開出願番号）：特開2000-202759
出願日： 1999年01月13日
公開日（公表日）： 2000年07月25日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウエハの全面を均一に研磨できる半導体ウエハの研磨方法と研磨装置とを提供する。【解決手段】 図1(a)に示すように、半導体ウエハ2を保持具3にセットする。図1(b)に示すように、半導体ウエハ2を研磨パッド1に接触させる。図1(c)に示すように、半導体ウエハ2の反り量に応じて加圧面内の加圧力を可変して半導体ウエハ2と研磨パッド1とを均一に接触させて研磨する。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハを保持具にセットして前記半導体ウエハを研磨パッドに接触させ、半導体ウエハの面を研磨するに際し、半導体ウエハの反り量に応じて加圧面内の加圧力を可変して半導体ウエハと研磨パッドとを均一に接触させて研磨する半導体ウエハの研磨方法。

IPC (3件)：

B24B 37/00 ,  B24B 1/00 ,  H01L 21/304 622

FI (3件)：

B24B 37/00 B ,  B24B 1/00 A ,  H01L 21/304 622 K

Fターム (25件)：

3C049AA07 ,  3C049AA09 ,  3C049AA12 ,  3C049AB04 ,  3C049AC02 ,  3C049AC04 ,  3C049BA07 ,  3C049BB02 ,  3C049BB04 ,  3C049BC02 ,  3C049CA01 ,  3C049CA05 ,  3C049CB01 ,  3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058AA12 ,  3C058AB04 ,  3C058AC02 ,  3C058AC04 ,  3C058BA07 ,  3C058BB02 ,  3C058BB04 ,  3C058BC02 ,  3C058CB01 ,  3C058DA17